Что такое монокристаллическая пластина зонного плавления кремния?

Монокристалл кремния со сверхвысоким сопротивлением (FZ-Silicon)
Монокристалл кремния с низким содержанием примесей, низкой плотностью дефектов и идеальной структурой решетки, полученной в процессе зонной плавки, в процессе выращивания кристаллов не вводится никаких примесей, а его удельное сопротивление обычно превышает 1000 Ом·см, в основном используется для производства устройств с высоким противодавлением и оптоэлектронные устройства.
Монокристалл плавленого кремния в зоне нейтронного облучения (NTDFZ-Silicon)
Монокристаллы кремния зонной плавки позволяют получать монокристаллы кремния с высокой однородностью удельного сопротивления за счет нейтронного облучения, что обеспечивает производительность и стабильность изготовления устройств. В основном используется в производстве кремниевых выпрямителей (SR), тиристоров (SCR), гигантских транзисторов (GTR), тиристоров (GRO), статических индукционных тиристоров (SITH), биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), диодов сверхвысокого напряжения (PIN). ), интеллектуальные силовые устройства (SMART POWER), силовые интегрированные устройства (POWER IC) и т. д. являются основными функциональными материалами различных преобразователей частоты, выпрямителей, мощных устройств управления и новых силовых электронных устройств, а также различных детекторов, датчиков, оптоэлектронных устройств и основных функциональных материалов для специальных силовых устройств и т.д.
Монокристалл кремния, легированный газовой фазой (GDFZ-Silicon)
Используя механизм диффузии примесей, газообразные примеси добавляются в процессе вытяжки монокристалла кремния методом зонной плавки, что принципиально решает проблему сложного легирования в процессе зонной плавки и позволяет получить диапазон удельного сопротивления N-типа или P-типа. 0.001- 300Ом.см, монокристалл кремния, легированного газом, с однородностью удельного сопротивления, эквивалентной нейтронному облучению, его удельное сопротивление подходит для изготовления различных полупроводниковых силовых устройств, биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), высокоэффективные солнечные элементы и т. д.
Монокристалл кремния, плавленый в зоне Чохральского (CFZ-Silicon)
Монокристалл кремния получается комбинацией двух процессов Чохральского и зонной плавки, а качество продукта находится между монокристаллом Чохральского и зонной плавкой. Могут быть легированы специальные элементы, такие как галлий (Ga), германий (Ge) и т. д. Новое поколение солнечных кремниевых пластин CFZ, изготовленных методом зонной плавки Чохральского, намного превосходит все виды кремниевых пластин, используемых в настоящее время в мировой фотоэлектрической промышленности, а эффективность преобразования солнечных элементов достигает 24-26%. Продукты в основном используются в высокоэффективных солнечных элементах, изготовленных из специальных структур, задних контактов, HIT и других специальных процессов, и более широко используются во многих продуктах и ​​областях, таких как светодиоды, силовые устройства, автомобили и спутники.