Электронная почта

sales@sibranch.com

Ватсап

+8618858061329

Термическая пластина оксида кремния

Термическая пластина оксида кремния

Термическая оксидная кремниевая пластина — это кремниевая пластина, на которой сформирован слой диоксида кремния (SiO2). Слой термического оксида (Si+SiO2) или диоксида кремния формируется на голой поверхности кремниевой пластины при повышенной температуре в присутствии окислителя в процессе термического окисления.
Отправить запрос
Теперь говорите
Описание
Технические параметры

Нинбо Sibranch Microelectronics Technology Co., Ltd.:Ваш надежный производитель кремниевых пластин диаметром 300 мм!

 

 

Компания Sibranch Microelectronics, основанная в 2006 году учёным в области материаловедения и инженерии в Нинбо, Китай, стремится предоставлять полупроводниковые пластины и услуги по всему миру. Наша основная продукция включает в себя стандартные кремниевые пластины SSP (односторонняя полировка), DSP (двухсторонняя полировка), тестовые кремниевые пластины и кремниевые пластины Prime, пластины SOI (кремний на изоляторе) и монетообразные пластины диаметром до 12 дюймов, CZ/MCZ/FZ/NTD, практически любой ориентации, отрезанные, с высоким и низким удельным сопротивлением, ультра-плоские, ультра-тонкие и толстые пластины. и т. д.

 

Ведущий сервис

Мы стремимся постоянно совершенствовать нашу продукцию, чтобы предоставлять иностранным клиентам большое количество высококачественной-продукции, превосходящей уровень удовлетворенности клиентов. Мы также можем предоставить индивидуальные услуги в соответствии с требованиями клиентов, такими как размер, цвет, внешний вид и т. д. Мы можем предоставить продукцию по наиболее выгодной цене и-качеству.

 

Гарантированное качество

Мы постоянно проводим исследования и внедряем инновации для удовлетворения потребностей различных клиентов. При этом мы всегда придерживаемся строгого контроля качества, чтобы качество каждого продукта соответствовало международным стандартам.

 

Широкие страны продаж

Мы ориентируемся на продажи на зарубежных рынках. Наша продукция экспортируется в Европу, Америку, Юго-Восточную Азию, на Ближний Восток и в другие регионы и пользуется успехом у клиентов по всему миру.

 

Различные типы продуктов

Our company offers customized silicon wafer processing services tailored to meet the specific needs of our clients. These include Si Wafer BackGrinding, Dicing, DownSizing, Edge Grinding, as well as MEMS among others. We strive to deliver bespoke solutions that exceed expectations and ensure customer satisfaction.

 

Типы продуктов

 

CZ кремниевая пластина

Кремниевые пластины CZ вырезаются из слитков монокристаллического кремния, вытянутых с использованием метода выращивания CZ Чохральского, который наиболее широко используется в электронной промышленности для выращивания кристаллов кремния из больших цилиндрических кремниевых слитков, используемых для производства полупроводниковых приборов. В этом процессе удлиненная затравка кристаллического кремния с точным допуском на ориентацию вводится в ванну расплава кремния с точно контролируемой температурой. Затравочный кристалл медленно вытягивается вверх из расплава со строго контролируемой скоростью, и на границе раздела происходит кристаллизация атомов жидкой фазы. Во время этого процесса вытягивания затравочный кристалл и тигель вращаются в противоположных направлениях, образуя большой монокристалл кремния с идеальной кристаллической структурой затравки.

Пластина оксида кремния

Пластина оксида кремния – это современный и незаменимый материал, используемый в различных-технологических отраслях и приложениях. Это кристаллическое вещество высокой-чистоты, получаемое путем обработки высококачественных кремниевых материалов-, что делает его идеальным субстратом для множества различных типов электронных и фотонных приложений.

Манекен вафли (Coinroll)

Пластины-пустышки (также называемые тестовыми пластинами) — это пластины, используемые в основном для экспериментов и испытаний, и они отличаются от обычных пластин для производства продуктов. Соответственно, восстановленные пластины чаще всего применяются в качестве макетных пластин (тестовых пластин).

Кремниевая пластина с золотым покрытием

Кремниевые пластины-покрытые золотом и кремниевые чипы-покрытые золотом широко используются в качестве подложек для аналитических характеристик материалов. Например, материалы, нанесенные на пластины с золотым-покрытием, можно анализировать с помощью эллипсометрии, рамановской спектроскопии или инфракрасной (ИК) спектроскопии благодаря высокой-отражательной способности и благоприятным оптическим свойствам золота.

Кремниевая эпитаксиальная пластина

Кремниевые эпитаксиальные пластины очень универсальны и могут изготавливаться различных размеров и толщин в соответствии с различными отраслевыми требованиями. Они также используются в различных приложениях, включая интегральные схемы, микропроцессоры, датчики, силовую электронику и фотогальванику.

Термический оксид сухой и влажный

Изготовлено с использованием новейших технологий и обеспечивает непревзойденную надежность и стабильность работы. Thermal Oxide Dry and Wet — важный инструмент для производителей полупроводников во всем мире, поскольку он обеспечивает эффективный способ производства высококачественных пластин-качества, отвечающих всем строгим требованиям отрасли.

Кремниевая пластина 300 мм

Эта пластина имеет диаметр 300 миллиметров, что делает ее больше традиционных размеров пластин. Больший размер делает его более экономичным-и эффективным, позволяя увеличить производительность без ущерба для качества.

Кремниевая пластина 100 мм

Кремниевая пластина диаметром 100 мм — это высококачественный-продукт, широко используемый в электронной и полупроводниковой промышленности. Эта пластина разработана для обеспечения оптимальной производительности, точности и надежности, которые необходимы при производстве полупроводниковых устройств.

Кремниевая пластина 200 мм

Кремниевая пластина диаметром 200 мм также универсальна в своих применениях: в исследованиях и разработках, а также в крупносерийном-производстве. Его можно настроить в точном соответствии с вашими требованиями, используя опции для тонких или толстых пластин, полированных или неполированных поверхностей, а также другие функции в зависимости от ваших конкретных потребностей.

 

Что такое пластина термического оксида кремния?

 

 

Термическая оксидная кремниевая пластина — это кремниевая пластина, на которой сформирован слой диоксида кремния (SiO2). Слой термического оксида (Si+SiO2) или диоксида кремния формируется на голой поверхности кремниевой пластины при повышенной температуре в присутствии окислителя в процессе термического окисления. Обычно его выращивают в горизонтальной трубчатой ​​печи с температурным диапазоном от 900 до 1200 градусов, используя «мокрый» или «сухой» метод выращивания. Термический оксид – это своего рода «выращенный» оксидный слой. По сравнению с оксидным слоем, нанесенным CVD, это превосходный диэлектрический слой в качестве изолятора с более высокой однородностью и более высокой диэлектрической прочностью. Для большинства устройств на основе кремния-слой термического оксида является важным материалом, стабилизирующим поверхность кремния и выполняющим роль легирующего барьера и поверхностного диэлектрика.

 

 
Типы пластин термического оксида кремния
 

Влажный термический оксид на обеих сторонах пластины
Толщина пленки: 500 Å – 10 мкм с обеих сторон.
Толщина пленки Допуск: Целевой ±5%
Напряжение пленки: – 320±50 МПа при сжатии

01/

Влажный термический оксид на одной стороне пластины
Толщина пленки: 500–10 000 Å с обеих сторон.
Толщина пленки Допуск: Целевой ±5%
Напряжение пленки: -320±50 МПа при сжатии

02/

Сухой термооксид на обеих сторонах пластины
Толщина пленки: 100–3000 Å с обеих сторон.
Толщина пленки Допуск: Целевой ±5%
Напряжение пленки: – 320±50 МПа при сжатии

03/

Сухой термический оксид на одной стороне пластины
Толщина пленки: 100–3000 Å с обеих сторон.
Толщина пленки Допуск: Целевой ±5%
Напряжение пленки: – 320±50 МПа при сжатии

04/

Сухой хлорированный термический оксид с отжигом в формовочном газе
Толщина пленки: 100–3000 Å с обеих сторон.
Толщина пленки Допуск: Целевой ±5%
Напряжение пленки: – 320±50 МПа при сжатии
Процесс сторон: обе стороны

Процесс производства пластин термического оксида кремния

 

Термическое окисление кремния начинается с помещения кремниевых пластин в кварцевую стойку, широко известную как лодочка, которая нагревается в печи термического окисления кварца. Температура в печи может составлять от 950 до 1250 градусов Цельсия при стандартном давлении. Необходима система контроля, чтобы поддерживать температуру пластин в пределах примерно 19 градусов по Цельсию от желаемой температуры.
В печь термического окисления вводят кислород или пар, в зависимости от типа выполняемого окисления.
Кислород из этих газов затем диффундирует с поверхности подложки через оксидный слой в слой кремния. Состав и глубину окислительного слоя можно точно контролировать с помощью таких параметров, как время, температура, давление и концентрация газа.
Высокая температура увеличивает скорость окисления, но также увеличивает примеси и движение соединения между слоями кремния и оксида.

Эти характеристики особенно нежелательны, когда процесс окисления требует нескольких стадий, как в случае со сложными ИС. Более низкая температура дает оксидный слой более высокого качества, но также увеличивает время роста.

Типичным решением этой проблемы является нагрев пластин при относительно низкой температуре и высоком давлении для сокращения времени роста.

Увеличение на одну стандартную атмосферу (атм) снижает требуемую температуру примерно на 20 градусов Цельсия, при условии, что все остальные факторы равны. Промышленные применения термического окисления используют давление до 25 атм при температуре от 700 до 900 градусов Цельсия.

Скорость роста оксида изначально очень высокая, но замедляется, поскольку кислороду приходится диффундировать через более толстый слой оксида, чтобы достичь кремниевой подложки. После завершения окисления почти 46 процентов оксидного слоя проникает в исходную подложку, оставляя 54 процента оксидного слоя поверх подложки.

 

 
Часто задаваемые вопросы
 

Вопрос: Что такое термический оксид кремниевой пластины?

Ответ: Термическое окисление — это результат воздействия на кремниевую пластину комбинации окислителей и тепла с образованием слоя диоксида кремния (SiO2). Этот слой чаще всего изготавливается из газообразного водорода и/или кислорода, хотя можно использовать любой газообразный галоген.

Вопрос: Каковы две основные причины термического окисления?

Ответ: Эта окислительная печь подвергается воздействию кислорода (сухое термическое окисление) или молекул воды (мокрое термическое окисление). Молекулы кислорода или воды реагируют с поверхностью кремния, постепенно образуя тонкий оксидный слой.

Вопрос: Что происходит, когда кремниевая пластина помещается в высокотемпературную печь с кислородом или паром?

Ответ: Напротив, термическое окисление достигается за счет реакции кремниевой пластины с кислородом или паром при высокой температуре. Термически выращенные оксиды обычно демонстрируют превосходные диэлектрические свойства по сравнению с осажденными оксидами. Структура этих оксидов аморфная; однако они прочно связаны с поверхностью кремния.

Вопрос: В чем разница между влажным и сухим термооксидом?

A: Показатель преломления ВЛАЖНОГО и СУХОГО термооксидов существенно не отличается. Ток утечки меньше, а диэлектрическая прочность выше для СУХОГО, чем для ВЛАЖНОГО термооксида. При очень малых толщинах, менее 100 нм, толщину СУХОГО оксида можно контролировать более точно, поскольку он растет медленнее, чем ВЛАЖНЫЙ термооксид.

Вопрос: Какова толщина оксидного слоя на кремниевой пластине?

A: Его называют «оксидом», а также кварцем и кремнеземом. (приблизительно 1,5 нм или 15 Å [ангстрем]), который образуется на поверхности кремниевой пластины всякий раз, когда пластина подвергается воздействию воздуха в условиях окружающей среды.

Вопрос: Почему термическое окисление предпочтительнее для выращивания SiO2 в виде затворного оксида?

Ответ: Выращивание диоксида кремния осуществляется с помощью термического окисления в сухой или влажной среде. Для оксидов самого высокого качества, таких как затворные оксиды, предпочтительно сухое окисление. Преимуществами являются низкая скорость окисления, хороший контроль толщины оксида в тонких оксидах и высокие значения поля пробоя.

Вопрос: Как удалить оксидный слой с кремния?

Ответ: Слои диоксида кремния можно удалить с кремниевых подложек различными методами. Один метод включает замачивание пластины в травильном растворе для удаления большей части слоя оксида кремния с последующей промывкой поверхности пластины вторым травильным раствором для удаления остаточного слоя оксида кремния.

Вопрос: Какова цель использования термически выращенного оксидного слоя на кремниевой пластине в качестве исходного слоя для нашего производства?

Ответ: Процесс термического осаждения оксидов на кремний является распространенным методом изготовления устройств MEMS. Этот процесс улучшает поверхность кремниевых пластин, удаляя нежелательные частицы и приводя к образованию тонких пленок с высокой электрической прочностью и чистотой.

Вопрос: Что такое термический оксид кремниевой пластины?

Ответ: Термическое окисление — это результат воздействия на кремниевую пластину комбинации окислителей и тепла с образованием слоя диоксида кремния (SiO2). Этот слой чаще всего изготавливается из газообразного водорода и/или кислорода, хотя можно использовать любой газообразный галоген.

Вопрос: Что такое термический рост оксида кремния?

Ответ: Рост диоксида кремния происходит на 54% выше и на 46% ниже исходной поверхности кремния по мере расходования кремния. Скорость мокрого окисления выше, чем процесс сухого окисления. Следовательно, процесс сухого окисления подходит для формирования тонкого оксидного слоя для пассивации поверхности кремния.

Вопрос: Что такое сухое окисление кремниевой пластины?

О: Обычно для окисления кремния используется газообразный кислород высокой-чистоты. Газообразный азот в системе окисления используется в качестве технологического газа во время простоя системы, повышения температуры, этапов загрузки пластин и продувки камеры, поскольку азот не вступает в реакцию с кремнием при температуре обработки.

Вопрос: Почему термическое окисление предпочтительнее для выращивания SiO2 в виде затворного оксида?

Ответ: Выращивание диоксида кремния осуществляется с помощью термического окисления в сухой или влажной среде. Для оксидов самого высокого качества, таких как затворные оксиды, предпочтительно сухое окисление. Преимуществами являются низкая скорость окисления, хороший контроль толщины оксида в тонких оксидах и высокие значения поля пробоя.

Вопрос: Как работает термическое окисление?

Ответ: Термический окислитель нагревает ЛОС или HAP до определенной температуры, пока они не окислятся. В процессе окисления вредные загрязнения расщепляются на углекислый газ и воду. Термические окислители идеально подходят для применений, где могут присутствовать твердые частицы и более высокая концентрация летучих органических соединений.

Вопрос: Какой тип кремниевой подложки используется для окисления?

А: Монокристалл<100>кремний или кремний с небольшим перекосом (<100>±0,5 градуса) обеспечивает наилучшие результаты. Предпочтительны умеренные уровни легирования (удельное сопротивление 1-100 Ом·см). Большие диаметры до 300 мм обычно используются для термического оксидирования.

Вопрос: Почему состояние поверхности так важно?

О. Поверхность,-свободная от органических веществ, и минимальная шероховатость обеспечивают равномерное окисление и минимизируют дефекты оксидного слоя. Процедуры очистки направлены на удаление органических загрязнений и частиц вплоть до<100/cm2 level.

Вопрос: Что вызывает изменение скорости окисления?

Ответ: Основными факторами являются температура и содержание окислителей в окружающей среде. Однако такие параметры, как концентрация легирования, плотность дефектов, ориентация кристаллов, шероховатость поверхности, также влияют на скорость диффузии, которые определяют кинетику окисления.

Вопрос: Какие проблемы могут возникнуть из-за неоднородного-кремния?

Ответ: Пространственные различия в толщине или составе ухудшают производительность и производительность устройства. Цели единообразия, как правило,<±1% variation across a wafer.

Вопрос: Насколько чистой должна быть кремниевая подложка?

Ответ: Высокая чистота с минимальными металлическими или кристаллографическими загрязнениями необходима для качества диэлектрика затвора. Кремний для продвинутых узлов может использовать уровень чистоты выше 11 девяток (99,999999999%).

Вопрос: Может ли оксид кремния заменить кремниевые подложки в устройствах?

Ответ: Нет. Оксид кремния выполняет изоляционную и диэлектрическую функцию, но для функциональности таких устройств, как транзисторы, требуется полупроводниковая подложка, такая как кремний. Только сам кремний обеспечивает эффективное переключение.

Вопрос: Сколько кремния расходуется при окислении?

Ответ: Примерно 44% первоначальной толщины оксида возникает в результате расхода самой кремниевой пластины. Баланс зависит от источника кислорода. Это соотношение определяет конечную чистоту оксида.
почему выбрали нас

 

Наша продукция поставляется исключительно от пяти крупнейших мировых производителей и ведущих отечественных фабрик. Поддерживается высококвалифицированными отечественными и международными техническими командами и строгими мерами контроля качества.

Наша цель — предоставить клиентам комплексную индивидуальную поддержку, обеспечивая бесперебойные, профессиональные, своевременные и эффективные каналы связи. Мы предлагаем низкий минимальный объем заказа и гарантируем быструю доставку в течение 24 часов.

 

Заводская выставка

 

Наш обширный ассортимент состоит из продуктов 1000+, поэтому клиенты могут размещать заказы всего за одну штуку. Наше собственное оборудование для нарезки кубиками и обратного шлифования, а также полное сотрудничество в глобальной производственной цепочке позволяют нам осуществлять быструю доставку, обеспечивая комплексное удовлетворение и удобство клиентов.

01
02
03

 

Наш сертификат

 

Наша компания гордится различными полученными нами сертификатами, включая патентный сертификат, сертификат ISO9001 и сертификат национального высокотехнологичного предприятия. Эти сертификаты отражают нашу приверженность инновациям, управлению качеством и стремлению к совершенству.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

горячая этикетка : термическая оксидная кремниевая пластина, Китайские термооксидные кремниевые пластины производители, поставщики, завод