Полупроводники первого поколения?
Репрезентативные материалы: кремний (Si), германий (Ge). Недостатки германия: плохая термическая стабильность. Германиевые транзисторы появились в 1948 году. С 1950 по начало 1970-х годов германиевые транзисторы быстро развивались. После этого их начали постепенно вытеснять из развитых стран. К 1980 году, когда процесс производства кремния высокой чистоты постепенно стал более совершенным, во всем мире они были почти полностью заменены кремниевыми транзисторами.
Полупроводники второго поколения?
Репрезентативные материалы: арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP).
Преимущества:
1. Высокая подвижность электронов;
2. Прямая запрещенная зона, очень эффективна в оптоэлектронных приложениях, поскольку электроны могут прыгать напрямую и одновременно испускать фотоны, например, в светодиодах и лазерах.
Полупроводники третьего поколения?
Репрезентативные материалы:карбид кремния (SiC), нитрид галлия (GaN), селенид цинка (ZnSe).
Преимущества: широкая запрещенная зона, высокое напряжение пробоя и высокая теплопроводность. Подходит для высокотемпературных, мощных и высокочастотных применений.
Полупроводники четвертого поколения?
Репрезентативные материалы:
Оксид галлия (Ga2O3), алмаз (C), нитрид алюминия (AlN) и нитрид бора (BN) и др. Преимущества: сверхширокая запрещенная зона; высокое напряжение пробоя; высокая мобильность носителя и т.д.
Недостатки:
сложный рост и подготовка материала; незрелый производственный процесс, многие ключевые технологии еще не полностью освоены.