Кремниевые пластины являются одним из важнейших сырьевых материалов в электронной промышленности и в основном используются для производства интегральных схем, конденсаторов, диодов и других компонентов. Интегральные схемы — это крошечные схемы, состоящие из большого количества основных компонентов, таких как транзисторы, конденсаторы, резисторы и т. д., которые можно использовать в различных электронных устройствах, таких как компьютеры, коммуникационное оборудование и развлекательное оборудование. Полупроводниковые кремниевые пластины являются одним из основных материалов для производства интегральных схем. Размер полупроводниковых кремниевых пластин делится на 2 дюйма (50,8 мм), 4 дюйма (100 мм), 6 дюймов (150 мм), 8 дюймов (200 мм) и 12 дюймов (300 мм) в зависимости от диаметра. В зависимости от различных полупроводниковых продуктов используются кремниевые пластины разных размеров и процессов.
Классификация размеров полупроводниковых кремниевых пластин
|
Размер кремниевой пластины |
Толщина |
Область |
Масса |
Соответствующий процесс |
|
|
2 дюйма |
50,8 мм |
279ум |
20,26 см² |
1.32g |
5ум |
|
4 дюйма |
100 мм |
525ум |
78,65 см² |
9.67g |
3ум-0.5ум |
|
6 дюймов |
150 мм |
675ум |
176,72 см² |
27.82g |
0.35ум-0.13ум |
|
8 дюймов |
200 мм |
725ум |
314,16 см² |
52.98g |
90 мм-55 мм |
|
12 дюймов |
300 мм |
775279ум |
706,12 см² |
127.62g |
28мм-3мм |
Преимущества кремниевых пластин большого размера • На одной кремниевой пластине можно изготовить больше чипов: чем больше пластина, тем меньше отходов остается по краям и углам, что повышает коэффициент использования кремниевой пластины и снижает затраты. Если взять в качестве примера кремниевые пластины диаметром 300 мм, то их полезная площадь в два раза больше, чем у кремниевых пластин диаметром 200 мм, обработанных тем же процессом, что может обеспечить преимущество в производительности до 2,5 раз за счет увеличения количества чипов. • Улучшение общего использования кремниевых пластин: изготовление прямоугольных кремниевых пластин на круглых кремниевых пластинах сделает некоторые области по краям кремниевой пластины непригодными для использования, в то время как увеличение размера кремниевой пластины снижает коэффициент потерь неиспользуемых краев. • Улучшенная производительность оборудования: при условии, что основной технологический процесс: осаждение тонких пленок → фотолитография → травление → очистка и другие основные условия разработки остаются неизменными, среднее время производства чипа сокращается, коэффициент использования оборудования улучшается и Производственные мощности компании расширяются.
Процессы и полупроводниковые изделия, соответствующие полупроводниковым кремниевым пластинам разных размеров.
|
Размер полупроводниковой кремниевой пластины |
Процесс |
Полупроводниковая продукция |
Схема применения |
|
6 дюймов и ниже |
0.35um и выше |
Диоды, транзисторы, тиристоры и т.д. Различные дискретные устройства |
|
|
8 дюймов |
90нм~0,35 мкм |
Сенсорные чипы, чипы драйверов, чипы управления питанием, радиочастотные чипы и т. д. |
|
|
12 дюймов |
90 нм и ниже |
ЦП, графический процессор, Чип хранения, FPGA, ASIC и т. д. |
|
