Электронная почта

sales@sibranch.com

Ватсап

+8618858061329

Субстрат из арсенида галлия

Субстрат из арсенида галлия

Одним из основных преимуществ подложки из арсенида галлия является ее высокая подвижность электронов. Он имеет большую подвижность электронов по сравнению с другими полупроводниковыми материалами, такими как кремний, что делает его идеальным для высокоскоростных малошумящих устройств.
Отправить запрос
Теперь говорите
Описание
Технические параметры
Описание продукта

 

Одним из основных преимуществ подложки из арсенида галлия является ее высокая подвижность электронов. Он имеет большую подвижность электронов по сравнению с другими полупроводниковыми материалами, такими как кремний, что делает его идеальным для высокоскоростных малошумящих устройств. Более того, он имеет прямую запрещенную зону, что позволяет производить эффективные светодиоды, излучающие в видимом и инфракрасном диапазонах.

 

Еще одним преимуществом этой подложки является ее высокая теплопроводность, которая помогает быстро рассеивать тепло. Эта функция особенно полезна в приложениях силовой электроники, где рассеивание тепла имеет решающее значение. Подложка из арсенида галлия также имеет высокое напряжение пробоя, что обеспечивает ее надежность даже в условиях высокого напряжения.

 

Стандартные размеры и допуски для пластины GaAs диаметром 150 мм

Свойство

Измерение

Толерантность

Единицы

Диаметр

150

+/-0.5

мм

Толщина, центральная точка

     

Вариант А

675

+/-25

μm

Вариант Б

550

+/-25

μm

Ориентация выреза

[010]

+/-2

степени

Глубина выреза

1

+0.25/-0.0

мм

       

Стандартные размеры и допуски для пластины GaAs диаметром 100 мм

Свойство

Измерение

Толерантность

Единицы

Диаметр

100

+/-0.5

мм

Толщина, центральная точка

675

+/-25

μm

Основная плоская длина

18

+/-2

мм

Вторичная плоская длина

18

+/-2

мм

Доступны варианты US/SEMI и E/J-Flat.

     
       

Стандартные размеры и допуски для пластин GaAs диаметром 200 мм

Свойство

Измерение

Толерантность

Единицы

Диаметр

200

+/-0.5

мм

Толщина, центральная точка

625

+/-25

μm

Ориентация выреза

[010]

+/-2

степени

Глубина выреза

1

+0.25/-0.0

мм

       

Стандартные размеры и допуски для пластин GaAs диаметром 3 дюйма

Свойство

Измерение

Толерантность

Единицы

Диаметр

76.2

+/-0.5

мм

Толщина, центральная точка

625

+/-25

μm

Основная плоская длина

22

+/-2

мм

Вторичная плоская длина

11

+/-2

мм

Доступны варианты US/SEMI и E/J-Flat.

     

 

Изображение продукта

4 11

4

почему выбрали нас

 

Наша продукция поставляется исключительно от пяти крупнейших мировых производителей и ведущих отечественных фабрик. Поддерживается высококвалифицированными отечественными и международными техническими командами и строгими мерами контроля качества.

Наша цель — предоставить клиентам комплексную индивидуальную поддержку, обеспечивая бесперебойные, профессиональные, своевременные и эффективные каналы связи. Мы предлагаем низкий минимальный объем заказа и гарантируем быструю доставку в течение 24 часов.

 

Заводская выставка

 

Наш обширный ассортимент состоит из продуктов 1000+, поэтому клиенты могут размещать заказы всего за одну штуку. Наше собственное оборудование для нарезки кубиками и обратного шлифования, а также полное сотрудничество в глобальной производственной цепочке позволяют нам осуществлять быструю доставку, обеспечивая комплексное удовлетворение и удобство клиентов.

01
02
03

 

Наш сертификат

 

Наша компания гордится различными полученными нами сертификатами, включая патентный сертификат, сертификат ISO9001 и сертификат национального высокотехнологичного предприятия. Эти сертификаты отражают нашу приверженность инновациям, управлению качеством и стремлению к совершенству.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

горячая этикетка : Подложка из арсенида галлия, Китай производители подложек из арсенида галлия, поставщики, завод